特許
J-GLOBAL ID：200903085822929398
連続プラズマCVD法及びCVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-048780
公開番号（公開出願番号）：特開2000-239849
出願日： 1999年02月25日
公開日（公表日）： 2000年09月05日
要約：
【要約】【課題】 広幅の長尺フレキシブル媒体表面に、低内部応力、高耐久性で、かつ経時的劣化の無い安定した連続薄膜を形成する。【解決手段】 広幅な長尺フレキシブル基体1を、コーティングドラム5に沿って走行させながらマイクロ波プラズマとRFプラズマを併用したプラズマ中にさらすことによって連続的に薄膜を形成する方法であり、マイクロ波は導波管10を介してコーティングドラム5の幅全面に面して備えられたリニアアレーアンテナ11より放射して導入ガスをプラズマ化し、RFプラズマは真空槽2から電気的に絶縁されたドラム5に接続されたRF発生源12によってバイアス電位を印加しながら導入ガスをプラズマ化する仕組みになっており、これら2種のプラズマ中にフレキシブル基体1をさらすことによって薄膜を広幅で連続的に形成することができる。
請求項（抜粋）：
連続したフレキシブル基体を、真空槽内に配設した回転ドラムに沿って走行させながら、真空槽本体から電気的に絶縁された回転ドラムに接続されたRF発振器によるRFプラズマとマイクロ波プラズマとを併用したプラズマ中にさらすことによって、連続的に薄膜を形成することを特徴とする連続プラズマCVD法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (20件)：
4K030AA10
, 4K030AA16
, 4K030AA17
, 4K030BA28
, 4K030FA01
, 4K030FA03
, 4K030FA14
, 4K030GA02
, 4K030GA04
, 4K030GA14
, 4K030HA01
, 4K030HA04
, 4K030KA12
, 4K030KA20
, 4K030LA20
, 5D112AA07
, 5D112AA22
, 5D112BC05
, 5D112FA10
, 5D112KK02
