特許

J-GLOBAL ID：200903085824510220

磁気抵抗素子

発明者： 伊藤 昌久
出願人/特許権者： 株式会社日本オートメーション
代理人 (1件)： 千田 稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-115246
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291646
出願日： 1992年04月09日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 ヒステリシスを減少させ、外部磁界の大小に拘らずその変化の検出を可能とする。【構成】 パターン要素11,12,13,14を、パターン基板1の各辺1a,1b,1c,1dに対して平行な複数の直線部を有するように形成する。パターン要素11,12,13,14に対して、バイアス磁石2の磁極21,22,23,24を、パターン基板1の両対角線の交点及びその近傍を除き、各対角線に沿って、かつ各対角線上で対向する磁極が同極に、一方の対角線に沿う磁極と他方の対角線に沿う磁極とが異極となるように着磁する。

請求項（抜粋）：

隅部に電極部を有する略四辺形のパターン基板に、各電極部に対してブリッジ接続される強磁性薄膜を用いてなるパターン要素が形成されている磁気抵抗素子において、該パターン要素が、パターン基板の各辺に対して平行な複数の直線部を有して形成されていると共に、該パターン要素に対してバイアス磁界を付与するバイアス磁石の磁極が、パターン基板の両対角線の交点及びその近傍を除き、各対角線に沿って、かつ各対角線上で対向する磁極が同極に、一方の対角線に沿う磁極と他方の対角線に沿う磁極とが異極となるように着磁されていることを特徴とする磁気抵抗素子。