特許

J-GLOBAL ID：200903085828410831

異なる深さのトレンチアイソレーションのための、ウェルの濡れ電流を制御する方法

発明者： フルフォード,エイチ・ジム
出願人/特許権者： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-500431
公開番号（公開出願番号）：特表2003-535468
出願日： 2001年04月16日
公開日（公表日）： 2003年11月25日
要約：

【要約】トレンチ(22)を半導体基板(10)内に形成するステップと、分離材料(24)を前記トレンチ(22)内に形成するステップとを含む方法。前記方法はさらに、前記トレンチ(22)の深さおよび前記トレンチ分離材料(24)の厚みの少なくとも1つを定量するステップおよび前記トレンチ(22)の前記定量された深さおよび前記分離材料(24)の前記定量された厚みの少なくとも1つに基づいて前記分離材料(24)を通じて行なわれるべきイオン注入プロセスのエネルギレベルを決定するステップとを含む。

請求項（抜粋）：

トレンチ(22)を半導体基板(10)内に形成するステップを含み、前記トレンチはある深さを有し、 分離材料(24)を前記トレンチ(22)内に形成するステップをさらに含み、前記分離材料(24)はある厚みを有し、 前記トレンチ(22)の深さおよび前記分離材料(24)の厚みの少なくとも1つを定量するステップと、 前記定量された前記トレンチ(22)の深さおよび前記分離材料(24)の前記厚みの少なくとも1つに基づいて前記分離材料(24)を通じて行なわれるべきイオン注入プロセスのエネルギレベルを決定するステップをさらに含む、方法。

IPC (2件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 21/265 R ,  H01L 21/76 S

Fターム (12件)：

5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA46 ,  5F032AC01 ,  5F032BA02 ,  5F032BA03 ,  5F032CA17 ,  5F032CA20 ,  5F032DA01 ,  5F032DA25 ,  5F032DA33 ,  5F032DA44