特許

J-GLOBAL ID：200903085830792318

極紫外線マスクの漏れ吸収体

発明者： ヤン,ペイヤン
出願人/特許権者： インテル・コーポレーション
代理人 (2件)： 本城 雅則 ,  本城 吉子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-504461
公開番号（公開出願番号）：特表2008-535270
出願日： 2006年03月31日
公開日（公表日）： 2008年08月28日
要約：

本発明は、基板を提供する段階と、EUV光に対する多層ミラーを基板上に形成する段階と、EUV光に対する漏れ吸収体を多層ミラー上への形成する段階と、強く反射する第1の領域、および、弱く反射する第2の領域に漏れ吸収体をパターン化する段階と、を含む方法を開示する。本発明は、基板、基板上に位置する多層ミラー、および、第1の領域および第2の領域を有する多層ミラー、多層ミラーの第2の領域上に位置する漏れ吸収体、からなり、漏れ吸収体は、入射光の位相を180度だけシフトするEUVマスクを開示する。

請求項（抜粋）：

基板を提供する段階と、 EUV光のための多層ミラーを前記基板上に形成する段階と、 EUV光のための漏れ吸収体を前記多層ミラー上への形成する段階と、 強く反射する第1の領域、および、弱く反射する第2の領域に前記漏れ吸収体をパターン化する段階と、 を含むことを特徴とするマスクを形成する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16

FI (3件)：

H01L21/30 531M ,  H01L21/30 502P ,  G03F1/16 A

Fターム (3件)：

2H095BA10 ,  5F046GD10 ,  5F046GD13

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特許第6479195号