特許

J-GLOBAL ID：200903085831156466

光電変換装置用基板の製造方法

発明者： 寒川 泰紀 ,  長原 達郎
出願人/特許権者： 東燃株式会社
代理人 (1件)： 久保田 耕平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-213627
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066437
出願日： 1993年08月30日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】 テクスチャ溝を備えかつ低温成膜手段により欠陥の少ない半導体被膜を均一に成膜できる光電変換装置用基板の製造方法を提供すること。【構成】 テクスチャ溝を構成するエッチピット10が形成された単結晶シリコン1の表面にスパッタリング法により酸化シリコン薄膜2を成膜し、かつ、30重量%KOH水溶液のエッチング剤を用いて酸化シリコン薄膜と単結晶シリコン表面をエッチング処理し、上記テクスチャ溝を残したままでエッチピットの頂部と谷部をそれぞれ曲面形状に加工することを特徴とする。そして、この加工処理により上記基板表面に欠陥の少ない膜特性良好な非晶質シリコン層4を簡便に成膜することが可能になるため、得られた成膜型太陽電池の光電変換効率を向上できる効果を有している。

請求項（抜粋）：

テクスチャ溝を備えた光電変換装置用基板の製造方法において、上記テクスチャ溝を構成するエッチピットが形成された単結晶シリコンの表面に低温成膜法により薄膜を形成し、かつ、結晶シリコンに対するエッチングレートが上記薄膜に対するエッチングレートより高いエッチング剤を用いて薄膜と単結晶シリコン表面をエッチング処理し、上記エッチピットの頂部と谷部をそれぞれ曲面形状に加工することを特徴とする光電変換装置用基板の製造方法。