特許
J-GLOBAL ID：200903085834755468
半導体発光素子の評価装置及び評価方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-196419
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050331
出願日： 1993年08月06日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：
【要約】【目的】 ウェーハ段階で非破壊、非接触で発光素子の評価を可能とする評価装置及び方法を提供する。【構成】 ウェーハ表面から活性層内部に光パルスを入射させ発生する発光の減衰時間を測定し、発光効率を支配する小数キャリアのライフタイムを求めることによって発光素子の発光効率を評価する。【効果】 ウェーハ段階で発光素子の非破壊、非接触で発光素子の評価が可能となる。
請求項（抜粋）：
ウェーハ上に形成された発光素子の発光層のキャリアを励起して蛍光を生ぜしめるパルス光を発生する励起光発生手段と、前記パルス光を一方の焦点に導出し、他方の焦点に前記一方の焦点から発せられる光のみを導出する共焦点光学系と、前記一方の焦点の位置を前記発光層内部に位置させる位置決め手段と、前記他方の焦点に配置されて前記パルス光の照射に対する前記発光層内部の蛍光を検出する光検出手段と、前記蛍光を経時的に観測して、前記蛍光の減衰波形からライフタイムを求める波形解析手段と、予め得られているライフタイム及び発光効率相互の相関関係に基づいて、前記求められたライフタイムに対応する前記発光層内部の発光効率を推定する推定手段と、を備える半導体発光素子の評価装置。
IPC (2件)：
引用特許：
審査官引用 (2件)
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特開昭59-029433
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特開昭59-055013
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