電界効果型トランジスタおよびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-305487
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079204
出願日： 2003年08月28日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：

【課題】高い電界効果移動度を示す電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】有機半導体層を有する電界効果型トランジスタであって、該有機半導体層が少なくともテトラベンゾ銅ポルフィリン結晶を含み、かつCuKαX線回折におけるブラッグ角(2θ)8.4°±0.2°、10.2±0.2°、11.8°±0.2°、16.9°±0.2°の少なくとも2つ以上においてピークを有する電界効果型トランジスタ。テトラベンゾ銅ポルフィリン結晶が下記一般式(1)で表される化合物からなる。【化4】(R2 は水素原子、ハロゲン原子、水酸基、または炭素数1以上12以下のアルキル基、オキシアルキル基、チオアルキル基、アルキルエステル基、R3 は水素原子またはアリール基)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

有機半導体層を有する電界効果型トランジスタであって、該有機半導体層が少なくともテトラベンゾ銅ポルフィリン結晶を含み、かつCuKαX線回折におけるブラッグ角(2θ)8.4°±0.2°、10.2±0.2°、11.8°±0.2°、16.9°±0.2°の少なくとも2つ以上においてピークを有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/00

FI (3件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/28

Fターム (31件)：

5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK10 , 5F110HK32 , 5F110HK33

引用特許：

審査官引用 (1件)

有機半導体材料及び有機電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-084816 出願人：三菱化学株式会社

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