レジストパターンの形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-082051
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256149
出願日： 1997年03月14日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】レジスト特有の露光時の入射光と反射光の干渉によって生ずる定在波に起因する下地基盤段差上部と下部におけるレジストパターンの寸法変動を最小にするパターン形成方法の提供。【解決手段】段差を有する半導体基板にレジストを塗布時に、レジスト膜厚のパターン寸法依存性を示した曲線の極値の膜厚から略等間隔になるように、段差上部及び下部のレジスト膜厚を合わせこみ、段差上部及び下部のパターン寸法が等しくなるようにしている。

請求項（抜粋）：

段差上部及び段差下部のレジスト膜厚を、パターン寸法の変動のレジスト膜厚依存性について予め取得された特性曲線データに基づき、前記特性曲線において寸法変動の底又は頂に対応したレジスト膜厚を挟んで、該レジスト膜厚から略等距離となるような第1、第2のレジスト膜厚に、それぞれ設定し、前記段差上部及び前記段差下部のパターン寸法が略等しくなるようにした、ことを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/16

FI (3件)：

H01L 21/30 562 , G03F 7/16 , H01L 21/30 564 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭62-155514
特開平2-007515
特開平4-304619

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