配線又は電極用の配線材料、その製造方法、半導体素子及び超電導素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-174829
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026825
出願日： 1997年06月30日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】簡単な製造プロセスで、半導体素子や超電導素子の良好な配線パターンを形成できる配線材料を提供する。【解決手段】シリコン基板11上にレーザーアブレーション法により堆積したシリコンクラスレート化合物Na2Ba6Si4612にマスク13を通してX線を数分間照射する(図1(a)参照)。これにより照射部を選択的にNa、Ba、Siからなる金属シリサイドとシリコンの混合物14に分解することができる(図1(b)参照)。その後、水で処理することにより金属シリサイドを除去して絶縁層のシリコン膜15を形成する。これにより、シリコン基板11上に導電性シリコンクラスレート化合物12と選択的に絶縁化された部分からなる微細配線パターニングが形成される(図1(c)参照)。

請求項（抜粋）：

半導体素子や超電導素子の配線や電極用として用いられる配線材料であって、電気的に低抵抗なシリコンクラスレート化合物の一部の領域に、電気的に高抵抗な領域を形成し、低抵抗な領域を配線として用いる配線材料。

IPC (3件)：

H01L 39/22 ZAA , H01L 21/3205 , H01L 39/06 ZAA

FI (3件)：

H01L 39/22 ZAA G , H01L 39/06 ZAA , H01L 21/88 M

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭64-089342
特開平1-253258
特開昭64-067984

引用文献：

審査官引用 (1件)

Superconductivity in the silicon clathrate compound 8Na,Ba)xSi46

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