特許
J-GLOBAL ID：200903085856110320
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-357206
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186665
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 p型AlGaInPクラッド層にドープされたp型不純物が拡散により活性層に入り込むのを防止し、特性の劣化を防止することができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 AlGaInP系半導体発光素子において、活性層4とZnまたはMgがp型不純物としてドープされたp型(Alx Ga1-x )y In1-y Pクラッド層5との間に、ZnまたはMgよりも拡散しにくいp型不純物、例えばCが高濃度にドープされたp型Alz Ga1-z Asクラッド層13を設ける。p型Alz Ga1-z Asクラッド層13の厚さは0.05〜0.3μmとし、p型不純物のドーピング濃度は2×1017〜2×1019cm-3とする。活性層4は、アンドープGaInP層を量子井戸層とし、アンドープAlGaInP層を障壁層とするMQW構造、または、アンドープGaInP層を量子井戸層とし、Cなどの拡散しにくいp型不純物がドープされたp型AlGaAs層を障壁層とするMQW構造とする。
請求項（抜粋）：
活性層をn型AlGaInPクラッド層とp型AlGaInPクラッド層とによりはさんだ構造を有する半導体発光素子において、上記活性層と上記p型AlGaInPクラッド層との間に、上記p型AlGaInPクラッド層にドープされたp型不純物よりも拡散しにくいp型不純物がドープされた、AlGaInPと異なるIII-V族化合物半導体からなるp型III-V族化合物半導体クラッド層が設けられていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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