特許

J-GLOBAL ID：200903085856658318

カルコパイライト構造半導体薄膜の製造方法

発明者： 小原 直樹 ,  和田 隆博 ,  西谷 幹彦 ,  根上 卓之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-199418
公開番号（公開出願番号）：特開平8-060359
出願日： 1994年08月24日
公開日（公表日）： 1996年03月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 下部電極との密着性に優れ、かつ組成制御を容易にした結晶性の良いカルコパイライト薄膜の作製方法を提供する。【構成】 カルコパイライト構造半導体薄膜を基板3上に堆積する際に、基板表面から加熱する。500°C以上の基板温度で堆積する場合に、基板裏側から基板加熱ヒ-タ2により基板温度を500°C以下におさえ、さらに基板表面側から赤外線ヒ-タ15、赤外線レ-ザ16等で加熱して基板表面温度を500°C以上にすることによって基板に歪が生じることなく、結晶性の優れたカルコパイライト構造半導体薄膜を形成する。また、該薄膜中に基板表面側から直線的あるいは階段的に加熱温度を変えることにより基板温度を制御しながら、I族元素間およびIII族、VI族元素間の相互拡散の割合を制御する。この時基板にはカルコパイライト薄膜の熱膨張係数に近い値を持つ金属を被覆した誘電体あるいは金属を用いる。

請求項（抜粋）：

カルコパイライト構造半導体薄膜を基板上に堆積する工程において、基板の表面側から加熱し薄膜を堆積させることを特徴とするカルコパイライト構造半導体薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

C23C 14/50 ,  H01L 31/04