特許

J-GLOBAL ID：200903085857096780

高周波回路素子

発明者： 岡下 友則
出願人/特許権者： NEC化合物デバイス株式会社
代理人 (1件)： 宮本 恵司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-156602
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347553
出願日： 2002年05月30日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】信号の漏洩経路を確実に遮断し挿入損失を低減することができ、また、大電力の信号が入力した場合であってもFETのオフ状態を維持することができる高周波回路素子の提供。【解決手段】SOI構造の表面シリコン層に、シリーズFET及びシャントFETのセットを1組以上備え、各々のFETのpウェル14aはトレンチ絶縁体13によって分離形成され、かつ、各々のpウェル14aとDC-GND9とを接続するラインには500Ω以上の抵抗値のポリシリコン、拡散抵抗、抵抗値が調整された引き出しコンタクト部が配設されるものであり、SOI構造によって基板を介して漏洩する経路を遮断し、素子分離構造によってpウェル間を貫通して漏洩する経路を遮断し、抵抗体4によってDC-GNDラインの漏洩を抑制することができ、挿入損失特性に優れた半導体スイッチをシリコン基板上に実現できる。

請求項（抜粋）：

基板上に絶縁層を介して表面シリコン層が形成されるSOI構造の前記表面シリコン層に、複数のFETを含む高周波回路素子において、前記複数のFETは、各々、前記表面シリコン層に形成したトレンチによって分離されたウェル領域に形成され、各々の前記ウェル領域は、前記表面シリコン層に配設した抵抗体を介して直流GNDに接地されていることを特徴とする高周波回路素子。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/08 331

FI (3件)：

H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 27/04 H

Fターム (25件)：

5F038BH09 ,  5F038BH19 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA04 ,  5F048AB10 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BE03 ,  5F048BF17 ,  5F048BG05 ,  5F048BG14 ,  5F110AA06 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD22 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN80