特許
J-GLOBAL ID：200903085861403352
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-268418
公開番号（公開出願番号）：特開平5-083010
出願日： 1991年09月19日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】 特にX〜Ku帯以上のマイクロ波帯で使用する半導体装置において、従来に比してより一層高い周波数で使用できると共に高出力を得ることができる半導体装置を得ることを目的とする。【構成】 側壁部2及びキャップにより形成された空間は、金属製の遮蔽壁13により2つの部屋に分割されている。一方の部屋にはトランジスタ3a、入力側内部整合回路5a及び出力側内部整合回路7aが配置されており、他方の部屋にはトランジスタ3b、入力側内部整合回路5b及び出力側内部整合回路7bが配置されている。そして、入力信号はリード引き出し電極9aにより分割されて入力側内部整合回路5a,5bに与えられ、トランジスタ3a,3bの出力はリード電極9bにより合成されて外部に出力される。
請求項（抜粋）：
導電性の側壁部及びキャップにより形成される空間内に複数組の半導体素子が封止された半導体装置において、前記空間内に前記複数組の半導体素子を電磁気的に相互に分離する仕切り部材が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01P 3/08
, H01L 23/04
, H01P 5/08
, H03F 3/60
, H03F 3/68
