特許
J-GLOBAL ID:200903085862786220

多結晶シリコン薄膜およびその製法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-323847
公開番号(公開出願番号):特開2004-158685
出願日: 2002年11月07日
公開日(公表日): 2004年06月03日
要約:
【課題】電気特性に優れたポリシリコン膜を得る。比較的に薄い膜厚で、大きな粒径のポリシリコン膜を得る。【解決手段】成膜速度の変調、原料ガス組成の変調、成長とエッチングの交互操作などを組合わせて、膜厚1000Åの時の平均粒径が100Å以上の、ポリシリコン膜を形成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
被堆積物界面から1000Å厚までの多結晶の平均粒径が、100Å以上であることを特徴とする多結晶シリコン薄膜。
IPC (4件):
H01L21/205 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (5件):
H01L21/205 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 618G ,  H01L29/78 618A
Fターム (55件):
2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092MA08 ,  2H092NA21 ,  2H092QA13 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AF07 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045CA15 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110AA17 ,  5F110AA18 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD24 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG36 ,  5F110GG45 ,  5F110GG60 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK22 ,  5F110HL07 ,  5F110NN04 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ25

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