特許
J-GLOBAL ID:200903085862786220
多結晶シリコン薄膜およびその製法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
西山 恵三
, 内尾 裕一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-323847
公開番号(公開出願番号):特開2004-158685
出願日: 2002年11月07日
公開日(公表日): 2004年06月03日
要約:
【課題】電気特性に優れたポリシリコン膜を得る。比較的に薄い膜厚で、大きな粒径のポリシリコン膜を得る。【解決手段】成膜速度の変調、原料ガス組成の変調、成長とエッチングの交互操作などを組合わせて、膜厚1000Åの時の平均粒径が100Å以上の、ポリシリコン膜を形成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
被堆積物界面から1000Å厚までの多結晶の平均粒径が、100Å以上であることを特徴とする多結晶シリコン薄膜。
IPC (4件):
H01L21/205
, G02F1/1368
, H01L21/336
, H01L29/786
FI (5件):
H01L21/205
, G02F1/1368
, H01L29/78 618Z
, H01L29/78 618G
, H01L29/78 618A
Fターム (55件):
2H092JA25
, 2H092JA26
, 2H092MA08
, 2H092NA21
, 2H092QA13
, 5F045AA08
, 5F045AB03
, 5F045AC01
, 5F045AC02
, 5F045AD08
, 5F045AD09
, 5F045AF07
, 5F045BB16
, 5F045CA13
, 5F045CA15
, 5F110AA01
, 5F110AA16
, 5F110AA17
, 5F110AA18
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD13
, 5F110DD24
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG16
, 5F110GG19
, 5F110GG25
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG33
, 5F110GG36
, 5F110GG45
, 5F110GG60
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK09
, 5F110HK22
, 5F110HL07
, 5F110NN04
, 5F110NN27
, 5F110NN33
, 5F110NN72
, 5F110NN73
, 5F110QQ25
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