特許

J-GLOBAL ID：200903085865081988

磁気メモリ素子及びその記録方法、並びにその磁気メモリ素子を用いたメモリ

発明者： 西村 直樹
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-213580
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031773
出願日： 2001年07月13日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】 製造プロセスを複雑にすることなく、書込み線から発生する磁界を効果的に垂直磁気抵抗効果素子に集中させる。【解決手段】 膜面垂直方向に磁化容易軸を持つ第1磁性層21及び第2磁性層22で非磁性層23を挟んだ構造の磁気抵抗効果素子2の側面近傍に、絶縁膜を介して書込み線3を配置する。更に、書込み線3の上部及び下部に、絶縁膜を介して磁性膜からなる磁界集中層1を配置する。これにより、書込み線3から発生する磁界は磁界集中層1に集中してから磁気抵抗効果素子2に印加されることになるため、より効果的に磁界を磁気抵抗効果素子2に印加することができる。

請求項（抜粋）：

膜面垂直方向に磁化容易軸を持つ第1磁性層と、非磁性層と、膜面垂直方向に磁化容易軸を持つ第2磁性層とが積層された磁気素子を用いた磁気メモリ素子において、前記磁気素子の側面近傍に書込み線が設けられ、該書込み線の上部もしくは下部の少なくとも一方に前記書込み線よりも透磁率の大きい層が設けられていることを特徴とする磁気メモリ素子。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08

FI (5件)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/14 E ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (6件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA28 ,  5F083GA30 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37