特許

J-GLOBAL ID：200903085865677198

イオンビーム処理装置

発明者： 市村 智 ,  佐藤 忠 ,  小林 健三 ,  大石 鉦太郎 ,  大貫 久生
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋本 正実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-105884
公開番号（公開出願番号）：特開平8-296069
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：

【要約】【目的】 大電流化,大口径化のイオンビームを実現すること。【構成】 中和プラズマが生成されると、直流電源18により帯状電極8が処理室23に対し負電位に設定されているので、中和プラズマ中のイオン23を帯状電極8に捕集することができる。そして、捕集したイオン電荷と同量の電子24がイオンビーム25に向かって均一に供給することができる。従って、帯状電極にイオンを捕集させることにより、イオンの捕集面積を広くでき、そのため、低密度の中和プラズマを生成するのみで、該プラズマから十分な量のイオンを確実に捕集できると共に十分な量の電子をイオンビーム25側に供給できる。

請求項（抜粋）：

プラズマを生成し、該プラズマからイオンを引出すイオン引出し電極を有するイオン源と、該イオン源に接続され、引出されたイオンビームによって被処理物を処理する処理室と、処理室内のイオンビームを電気的に中和する中和手段とを有し、該中和手段は、イオン源と処理室との間に軸方向に沿って介設され、イオン引出し電極によって引き出されたイオンビームを取り囲む空間室を形成する帯状電極と、該帯状電極の空間室にマイクロ波プラズマを発生させる発生手段と、処理室に対し帯状電極を負電位にする手段とを有していることを特徴とするイオンビーム処理装置。

IPC (6件)：

C23F 4/00 ,  H01J 27/16 ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/30 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (8件)：

C23F 4/00 C ,  C23F 4/00 D ,  C23F 4/00 G ,  H01J 27/16 ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/30 Z ,  H05H 1/46 C ,  H01L 21/302 D