特許

J-GLOBAL ID：200903085869128725

超電導膜の形成方法

発明者： 生田目 俊秀 ,  斉藤 幸雄 ,  加茂 友一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-304492
公開番号（公開出願番号）：特開平5-139705
出願日： 1991年11月20日
公開日（公表日）： 1993年06月08日
要約：

【要約】【目的】超電導特性に優れた平滑な酸化物超電導膜を形成する酸化物超電導膜の製造方法及びその装置を提供する。【構成】成膜装置をターゲット5より発生する励起した金属原子または励起した微粒子で膜を形成する成膜室と酸素発生源より励起した酸素のある酸化室に分け、成膜室と酸化室の間をヒータにより加熱した基板が通過して酸化膜を形成する機構にする。【効果】平滑性に優れた酸化物超電導膜及び酸化膜が形成できることにより、エレクトロニクスデバイスへの応用が図れること及び長尺基板への酸化物超電導膜の形成も可能なので、超電導コイルへの応用も図れる。

請求項（抜粋）：

成膜法において、ターゲットより発生する励起した金属原子または励起した微粒子で膜を形成する成膜室と酸素発生源より励起した酸素のある酸化室間をヒータにより加熱した基板が通過して酸化膜を形成することを特徴とする超電導膜の形成方法。

IPC (8件)：

C01B 13/14 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  C23C 14/08 ZAA ,  C23C 14/22 ZAA ,  C23C 14/56 ZAA ,  H01L 21/203 ZAA ,  H01L 21/31