特許

J-GLOBAL ID：200903085873320550

半導体装置の製造方法

発明者： 宮本 誠司
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-311735
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138261
出願日： 1998年11月02日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】 Pb系材料を用いることなく、樹脂基板からなる配線基板の主面側にバンプ電極を介在して半導体チップが実装され、配線基板の裏面側にバンプ電極が配置された半導体装置を製造する。【解決手段】 半導体装置の製造方法において、樹脂基板からなる配線基板の主面に形成された第一電極パッドと半導体チップの主面に形成された第二電極パッドとの間に、前記配線基板の耐熱温度よりも融点が高い材料であって、Pb系以外の材料からなる接合体、及び前記配線基板の耐熱温度よりも融点が低い材料であって、Pb系以外の材料からなる接合層を介在し、前記配線基板の耐熱温度よりも低い温度で前記接合層を溶融してバンプ電極を形成する工程を備えたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

樹脂基板からなる配線基板の主面に形成された第一電極パッドと半導体チップの主面に形成された第二電極パッドとの間に、前記配線基板の耐熱温度よりも融点が高い材料であって、Pb系以外の材料からなる接合体、及び前記配線基板の耐熱温度よりも融点が低い材料であって、Pb系以外の材料からなる接合層を介在し、前記配線基板の耐熱温度よりも低い温度で前記接合層を溶融してバンプ電極を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 604 M

Fターム (7件)：

5F044KK02 ,  5F044KK13 ,  5F044KK14 ,  5F044KK18 ,  5F044LL05 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ06