特許

J-GLOBAL ID：200903085876581214

半導体装置用電極

発明者： 加藤 豪作
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 岩谷 龍
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-252087
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068671
出願日： 2001年08月22日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課 題】 本発明は、ノンアロイ電極においてメタル剥れが低減されている半導体装置用電極を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体層または基板上に形成されているノンアロイ電極がメタル剥れ保護層で被覆されていることを特徴とする半導体装置用電極。

請求項（抜粋）：

半導体層または基板に形成されているノンアロイ電極がメタル剥れ保護層で被覆されていることを特徴とする半導体装置用電極。

IPC (6件)：

H01L 21/28 301 ,  C23C 14/14 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/02

FI (6件)：

H01L 21/28 301 H ,  C23C 14/14 G ,  H01L 21/60 301 P ,  H01L 33/00 E ,  H01S 5/02 ,  H01L 21/90 D

Fターム (53件)：

4K029AA04 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BA03 ,  4K029BA04 ,  4K029BA05 ,  4K029BA07 ,  4K029BA09 ,  4K029BA12 ,  4K029BA13 ,  4K029BA17 ,  4K029BB02 ,  4K029BC03 ,  4K029BD02 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104BB15 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104GG06 ,  4M104GG08 ,  4M104GG12 ,  4M104HH08 ,  5F033GG02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033MM05 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP20 ,  5F033QQ42 ,  5F033QQ73 ,  5F033XX13 ,  5F041AA25 ,  5F041AA43 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041DA07 ,  5F044EE04 ,  5F044EE12 ,  5F073CB22 ,  5F073DA30 ,  5F073EA28 ,  5F073FA27