特許

J-GLOBAL ID：200903085876900840

半導体装置およびその製造方法

発明者： 森 三樹 ,  斉藤 雅之 ,  岩瀬 暢男
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-035695
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252148
出願日： 1993年02月24日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、アルミニウムなどの酸化されやすい配線においても、接続抵抗が小さく、信頼性の高い接続を達成することのできる半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 本発明では、実装用の配線基板12上に、高さHA 硬度Aのバンプ14を有する半導体素子11を粒径ΦB (HA ≦ΦB )、硬度B(AB(HA ≦ΦB )、硬度B(AA 硬度Aのバンプが当接するようにして半導体素子チップを加熱加圧するようにし、半導体素子を配線基板上に微小導電粒子を介して接続する工程とを含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

実装用の配線基板上に、高さHA 硬度Aのバンプを有する半導体素子を粒径ΦB (HA ≦ΦB )、硬度B(A IPC (3件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/60 311

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 特開平4-323841
  
• 特開平1-227444
  
• 特開平4-116944
  
• 特開平4-246840
  
• 半導体素子の接続方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-219124   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (6件)

• 特開平4-323841
  
• 特開平2-009465
  
• 特開平1-227444
  
• 特開平4-116944
  
• 特開平4-246840
  
• 半導体素子の接続方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-219124   出願人：株式会社東芝