特許
J-GLOBAL ID:200903085881849985
N-ホスホノメチルグリシン塩の製造
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石田 敬 (外4名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-558108
公開番号(公開出願番号):特表2003-508344
出願日: 1999年07月02日
公開日(公表日): 2003年03月04日
要約:
【要約】塩形成カチオンが、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム、および有機アンモニウムの群から選択される、N-ホスホノメチルイミノ二酢酸塩を、水性塩基性または水性溶液中の酸素存在下、固体担体上の貴金属触媒の存在下、過剰圧力および上昇温度下で反応させることによりN-ホスホノメチルグリシン塩を製造する方法であって、(a)その貴金属が、白金、パラジウム、またはパラジウムと白金の混合物、および白金またはパラジウムを個々にまたは一緒にルテニウム、ロジウム、オスミウム、またはイリジウムと混合したもの、の群から選択され、また(b)それが更に、ビスマス、鉛、スズ、テルル、ゲルマニウム、バナジウム、クロム、鉄、マンガン、モリブデン、およびタングステンの群から選択された少なくとも一つのドーピング金属と混合されることを特徴とする、製造方法。公知の除草剤N-ホスホノメチルグリシンがN-ホスホノメチルイミノ二酢酸から製造できる。
請求項(抜粋):
塩形成カチオンが、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム、および有機アンモニウムの群から選択される、N-ホスホノメチルイミノ二酢酸塩を、水性塩基性または水性溶液中の酸素存在下、固体担体上の貴金属触媒の存在下、過剰圧力および上昇温度下で反応させることによりN-ホスホノメチルグリシン塩を製造する方法であって、(a)その貴金属が、白金、パラジウム、またはパラジウムと白金の混合物、および白金またはパラジウムを個々にまたは一緒にルテニウム、ロジウム、オスミウム、またはイリジウムと混合したもの、の群から選択され、また(b)それが更に、ビスマス、鉛、スズ、テルル、ゲルマニウム、バナジウム、クロム、鉄、マンガン、モリブデン、およびタングステンの群から選択された少なくとも一つのドーピング金属と混合されることを特徴とする、製造方法。
IPC (2件):
C07F 9/38
, C07B 61/00 300
FI (2件):
C07F 9/38 C
, C07B 61/00 300
Fターム (20件):
4H039CA71
, 4H039CD90
, 4H050AA02
, 4H050AC50
, 4H050BA11
, 4H050BA12
, 4H050BA13
, 4H050BA14
, 4H050BA15
, 4H050BA16
, 4H050BA17
, 4H050BA30
, 4H050BA55
, 4H050BB31
, 4H050BB45
, 4H050BC10
, 4H050BC11
, 4H050BC31
, 4H050BC37
, 4H050BE30
前のページに戻る