特許

J-GLOBAL ID：200903085891192593

炭化珪素薄膜の製造方法

発明者： 出口 正洋 ,  平尾 孝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-175433
公開番号（公開出願番号）：特開平5-024999
出願日： 1991年07月16日
公開日（公表日）： 1993年02月02日
要約：

【要約】【目的】 低い基板温度で良質な炭化珪素薄膜を製造する方法を提供する。【構成】 基板素材11としてシリコン基板を用い、真空槽33内を10-9Torr台になるまで十分に真空排気し、シリコン基板が600°Cになるまで加熱し、その後、EB蒸着源31を用いて、シリコン粒子をシリコン基板に照射すると共に、イオン源32より炭素イオンを200eV〜1keVのエネルギーで照射する。

請求項（抜粋）：

基板素材に、少なくともシリコン元素を含む粒子流を照射しながら、同時に少なくとも炭素元素を含むイオン流を基板素材に照射することからなる炭化珪素薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203