特許
J-GLOBAL ID：200903085891582812
基板処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-131752
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321126
出願日： 1996年05月27日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 4つの支持部において基板を支持する基板処理装置を提供する。【解決手段】 加熱をともなう処理を行う基板処理装置において、基板9を支持する支持手段2を、3つの支持ブロック20a,20b,20cより構成し、1つの支持ブロック20aに揺動部材22を設ける。揺動部材22には基板9を接触支持する2つの支持部21を設け、また、揺動部材22は基板9にほぼ平行な軸Jを中心に揺動可能とする。他の支持ブロック20b、20cにはそれぞれ1つの支持部21を設ける。これにより、支持手段2に基板9が載置されると揺動部材22の2つの支持部21が基板9の表面に確実に接触するように揺動部材22が揺動し、4つの支持部21が均等に荷重を受けることができる。その結果、3つの支持部により基板を支持する場合に比べ、局所的な内部応力を低減することができ、スリップラインなどの結晶欠陥の発生を防ぐことができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板に加熱をともなう処理を施す基板処理装置において、N個(N=4,5,6)の支持点で前記基板を支持するとともに、前記N個の支持点のうち、ΔN組(ΔN=N-3)の支持点ペアのそれぞれが揺動アーム上に配置してあることを特徴とする基板処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/68
, C23C 16/44
, C23C 16/46
, H01L 21/205
, H01L 21/324
H01L 21/68 N
, C23C 16/44 H
, C23C 16/46
, H01L 21/205
, H01L 21/324 D
