特許

J-GLOBAL ID：200903085891704160

半導体装置の製造方法

発明者： 藤井 眞治 ,  真弓 周一
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-312067
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152237
出願日： 1991年11月27日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】 イオン注入層の上に熱酸化膜よりなるキャパシタ絶縁膜を形成する場合に、絶縁耐圧の劣化しにくいキャパシタ絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板30上に設けられた拡散層32とキャパシタ絶縁膜34と対向電極35よりなるキャパシタにおいて、拡散層32をイオン注入法によって形成する際、イオン注入をバッファー層1を通して行う場合にバッファー層1を酸素原子を含まない組成とすることによって、酸素原子の半導体基板30への侵入を無くすことができる。そのため、バッファー層1を除去して熱酸化膜よりなるキャパシタ絶縁膜34を形成した場合、酸素原子を中心とした半導体基板30中の鉄や銅といった不純物金属原子が析出せず、バッファー層1を除去した後に熱酸化膜からなるキャパシタ絶縁膜34を形成した場合、不純物金属原子がその熱酸化膜に取りこまれないために、キャパシタ絶縁膜34の絶縁耐圧を劣化させない。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に酸素原子を含有しないバッファー層を形成する工程と、そのバッファー層を通してイオン注入法により不純物を前記半導体基板内に注入し、拡散層を形成する工程とを少なくとも有することを特徴とする半導体装置の製造方法。