特許

J-GLOBAL ID：200903085892156469

ALDによる貴金属の促進された堆積

発明者： スヴィ ピー. ハウカ ,  マルコ ジェイ. トゥオミネン
出願人/特許権者： エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー.
代理人 (3件)： 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  斎藤 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-067951
公開番号（公開出願番号）：特開2006-257551
出願日： 2006年03月13日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：

【課題】基板上に貴金属を含む薄膜を化学気相成長法を用いて安定的に堆積する方法を提供する。【解決手段】反応チャンバ中の基板上に貴金属を含む薄膜を堆積するための方法であって、該方法は、以下を含む: 該基板を水素ハライド又は金属ハライドの気体ハライド又は有機金属化合物を用いて処理すること;及び 貴金属反応物及び酸素含有反応物からの該貴金属を含む薄膜を、気相堆積プロセスである原子層堆積プロセスを用いて堆積すること。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

反応チャンバ中の基板上に貴金属を含む薄膜を堆積するための方法であって、該方法は、以下を含む: 該基板を気体ハライド又は有機金属化合物で処理すること;及び 貴金属反応物及び酸素含有反応物からの該貴金属を含む薄膜を、気相堆積プロセスを用いて堆積すること。

IPC (4件)：

C23C 16/18 ,  C23C 16/02 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285

FI (4件)：

C23C16/18 ,  C23C16/02 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 C

Fターム (21件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA01 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD22 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD46