特許

J-GLOBAL ID：200903085895672905

レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 西 恒寛 ,  金生 剛 ,  渡辺 武 ,  長谷川 幸士 ,  中島 睦雄 ,  畠山 潤
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-138086
公開番号（公開出願番号）：特開2000-330283
出願日： 1999年05月19日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】 (修正有)【解決手段】 下記一般式(1)で示されるエステル化合物を含有することを特徴とするレジスト材料。(式中、R1は炭素数4〜40の直鎖状、分岐状又は環状のヘテロ原子を含んでもよいn価の飽和又は不飽和の炭化水素基を示す。R2は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6〜20の置換されていてもよいアリール基を示す。R3〜R12はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜15のヘテロ原子を含んでもよい1価の炭化水素基を示し、互いに環を形成していてもよく、その場合には炭素数1〜15のヘテロ原子を含んでもよい2価の炭化水素基を示す。またR3〜R12は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい。)【効果】 高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性、保存安定性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示されるエステル化合物を含有することを特徴とするレジスト材料。【化1】(式中、R1は炭素数4〜40の直鎖状、分岐状又は環状のヘテロ原子を含んでもよいn価の飽和又は不飽和の炭化水素基を示す。R2は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6〜20の置換されていてもよいアリール基を示す。R3〜R12はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜15のヘテロ原子を含んでもよい1価の炭化水素基を示し、互いに環を形成していてもよく、その場合には炭素数1〜15のヘテロ原子を含んでもよい2価の炭化水素基を示す。またR3〜R12は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい。 また、本式により、鏡像体も表す。nは1〜8の整数である。)

IPC (3件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (19件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025CB06 ,  2H025CB41 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025EA04 ,  2H025FA01 ,  2H025FA07 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17