特許

J-GLOBAL ID：200903085903853221

シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜及び半導体装置

発明者： 森嶋 浩之 ,  山本 靖浩 ,  成田 武憲 ,  野部 茂
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-191689
公開番号（公開出願番号）：特開平10-036772
出願日： 1996年07月22日
公開日（公表日）： 1998年02月10日
要約：

【要約】【課題】 成膜性が良好で且つ低誘電率なシリカ系被膜を得るためのシリカ系被膜形成用塗布液、このシリカ系被膜形成用塗布液もちいて得られ、厚い膜でもクラックがなく、低誘電率であるシリカ系被膜及びこのシリカ系被膜を用いた半導体装置を提供する。【解決手段】 (A)化1〔一般式(I)〕【化1】(ただし、式中、Rは炭素数l〜4のアルキル基を示す)で表されるメチルトリアルコキシシランと化2〔一般式(II)〕【化2】(ただし、式中、R′は炭素数1〜4のアルキル基を示す)で表される水素トリアルコキシシランを加水分解・縮重合してなるシロキサンオリゴマー及び(B)周期律表VIII族の金属を含む金属触媒を含有してなるシリカ系被膜形成用布液、この塗布液を、基体表面上に塗布後、50〜200°Cで乾燥し、ついで300〜500°Cで焼成してなるシリカ系被膜並びにこのシリカ系被膜を層間絶縁膜とした半導体装置。

請求項（抜粋）：

(A)化1〔一般式(I)〕【化1】(ただし、式中、Rは炭素数l〜4のアルキル基を示す)で表されるメチルトリアルコキシシランと化2〔一般式(II)〕【化2】(ただし、式中、R′は炭素数1〜4のアルキル基を示す)で表される水素トリアルコキシシランを加水分解・縮重合してなるシロキサンオリゴマー及び(B)周期律表VIII族の金属を含む金属触媒を含有してなるシリカ系被膜形成用布液。