特許
J-GLOBAL ID：200903085905311167
半導体圧力測定装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
東野 博文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-315011
公開番号（公開出願番号）：特開平11-148879
出願日： 1997年11月17日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 安価で且つ精度、感度、過大圧特性が良好で、作製プロセスが安定で特性のばらつきが少ない、半導体圧力測定装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 ダイアフラムの一面側に空隙室が設けられこのダイアフラムの他面側に測定圧が印加される半導体圧力測定装置において、第1の単結晶シリコン基板の一面に半導体導体プロセスにより形成されたポリシリコン層と、ポリシリコン層の他面に一面が接して設けられポリシリコン層と共にダイアフラムを構成する第2の単結晶シリコン基板と、第1の単結晶シリコン基板の一面側に設けられポリシリコン層と空隙室を形成する凹部と、ダイアフラムに設けられた歪検出センサと、第1の単結晶シリコン基板の他面あるいは第2の単結晶シリコン基板の他面から空隙室に連通されこの空隙室と外部とを連通する導圧孔とを具備したことを特徴とする半導体圧力測定装置である。
請求項（抜粋）：
ダイアフラムの一面側に空隙室が設けられこのダイアフラムの他面側に測定圧が印加される半導体圧力測定装置において、第1の単結晶シリコン基板と、この第1の単結晶シリコン基板の一面に半導体導体プロセスにより形成されたポリシリコン層と、前記ポリシリコン層の他面に一面が接して設けられ前記ポリシリコン層と共にダイアフラムを構成する第2の単結晶シリコン基板と、前記第1の単結晶シリコン基板の一面側に設けられ前記ポリシリコン層と空隙室を形成する凹部と、前記ダイアフラムに設けられた歪検出センサと、前記第1の単結晶シリコン基板の他面あるいは前記第2の単結晶シリコン基板の他面から前記空隙室に連通されこの空隙室と外部とを連通する導圧孔とを具備したことを特徴とする半導体圧力測定装置。
IPC (3件)：
G01L 9/04 101
, G01L 19/06 102
, H01L 29/84
G01L 9/04 101
, G01L 19/06 102
, H01L 29/84 B
