特許

J-GLOBAL ID：200903085905555686

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： 中園 卓志 ,  正木 裕一 ,  佐藤 肇 ,  中村 弘喜
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-066825
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275699
出願日： 1992年03月25日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】 本発明の薄膜トランジスタは、多結晶シリコンを主体として成るチャネル領域23、ソース領域25、ドレイン領域27を備え、各領域に水素もしくはハロゲンの少なくとも1つが連続的に5×1019/cm3 以上の濃度で存在している。【効果】 本発明によれば、膜中のミッドギャップ中の欠陥準位を消滅させ、薄膜トランジスタの蓄積側でのドレイン電流(ID )を防止することができ、また容易に製造することができる。

請求項（抜粋）：

多結晶シリコンを主体として成るチャネル領域、ソース領域、ドレイン領域を備えた薄膜トランジスタにおいて、前記各領域に水素もしくはハロゲンの少なくとも1つが連続的に5×1019/cm3 以上の濃度で存在していることを特徴とした薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 29/78 311 S ,  H01L 29/78 311 Y

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-023639
  
• 特開昭62-245674
  
• 特開平2-130932
  
• 特開昭62-145775
  
• 特開平2-103924