特許
J-GLOBAL ID：200903085914191743
粒子分散型磁気抵抗体とその製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-265965
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116212
出願日： 1995年10月13日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【課題】 磁気センサ、磁気ヘッド、位置センサ、回転センサなどの磁気抵抗効果素子として用いることができる高感度の粒子分散型磁気抵抗体10を得る。【解決手段】 基板1上に、マトリクス相2を形成するCuと、これと相分離するCrとから、Cuマトリクス相2とCr分散粒子とからなりこのCr分散粒子の表層の一部がマトリクス相2から露出した単層膜を形成し、次いでこの単層膜からCr粒子を選択的に除去し、このCr粒子が除去された空孔に、強磁性体Coを充填する。
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた非磁性導電体からなるマトリクス相と、このマトリクス相に分散した強磁性体の粒子とからなる単層膜の粒子分散型磁気抵抗体を製造するに際して、マトリクス相を形成する非磁性導電体と、これと相分離する分離性金属とを用い、相分離成膜法により、基板上に、非磁性導電体のマトリクス相と分離性金属の分散粒子とからなりこの分散粒子の表層の一部がマトリクス相から露出した単層膜を形成し、次いでエッチングにより、この単層膜から分離性金属の分散粒子を選択的に除去し、次いで、前記の分散粒子が除去された空孔に、前記非磁性導電体との組合せにおいて磁気抵抗効果を発現する強磁性体を充填することを特徴とする粒子分散型磁気抵抗体の製法。
IPC (4件)：
H01L 43/12
, C23F 1/02
, G01R 33/09
, H01F 10/08
H01L 43/12
, C23F 1/02
, H01F 10/08
, G01R 33/06 R
