特許

J-GLOBAL ID：200903085915090843

プラズマCVD装置

発明者： 寺山 暢之 ,  中曽根 正美
出願人/特許権者： 神港精機株式会社
代理人 (1件)： 田中 浩 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-148676
公開番号（公開出願番号）：特開平7-331447
出願日： 1994年06月06日
公開日（公表日）： 1995年12月19日
要約：

【要約】【目的】 プラズマの形状を制御することによって被膜の膜質及び被処理物に対する成膜領域を制御する。【構成】 真空槽1と、この真空槽1に結合されプラズマを発生すると共にそのプラズマを真空槽1内に供給するプラズマ源3と、プラズマ流の中心となる軸線14から間隔を隔てて設けられ基板15、15、・・・を支持するホルダ16、16、・・・と、プラズマ源3内に磁界φを発生する主コイル20と、プラズマ源3とは反対側の真空槽1内に磁界φ1 又はφ2 を発生する補助コイル21と、真空槽1内に材料ガスを供給するガスノズル19とを備えている。そして、磁界発生用電源20a及び21aによって、主コイル20及び補助コイル21を別々に駆動することによって、真空槽1内のプラズマの形状を制御する。

請求項（抜粋）：

排気手段によって内部が排気されている真空槽と、上記真空槽に結合されプラズマを発生すると共に該プラズマを上記真空槽内に供給するプラズマ源と、上記真空槽内において上記プラズマの供給部分の中心から上記プラズマの供給方向に真っ直ぐに伸延する軸線に対して直角な方向に所定の間隔を隔てて少なくとも1以上設けられており被処理物をその所定の部分が上記軸線に対向する状態に支持する支持部と、上記プラズマ源内に上記軸線を中心に対称な分布であると共に上記プラズマ源から上記真空槽内に向かう方向の第1の磁界を発生させる第1の磁界発生手段と、上記支持部を挟んで上記プラズマ源とは反対側の上記真空槽内に上記軸線を中心に対称な分布であると共に上記第1の磁界と同方向あるいは逆方向の第2の磁界を発生させる第2の磁界発生手段と、上記真空槽内に材料ガスを供給する材料ガス供給手段とを具備し、上記第1及び第2の磁界発生手段が上記第1及び第2の磁界の強さを各々独立して可変できる状態に構成されたことを特徴とするプラズマCVD装置。