特許

J-GLOBAL ID：200903085915407251

気相成長装置

発明者： 石谷 善博 ,  石川 悦子
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-082868
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297132
出願日： 1994年04月21日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】 原料使用効率を上げ、かつ成長した膜面内の構成元素の組成や膜厚の分布を低減し、また超格子構造を精度良く成長する気相成長装置を提供する。【構成】 炉体の基板サセプター2の面に平行な断面積がサセプター鉛直上方にあるガス導入部よりサセプターに近付くに従い徐々に大きくなるような末広形状にする。また、ガス導入口の直下にガスの流れる方向及び各方向に流れるガスの流量を調節するための穴を持ったガス流調整板1を付ける。【効果】 結晶の組成や膜厚の膜面内分布を低減でき、原料の使用効率良い状態で膜を成長できる。

請求項（抜粋）：

気相成長装置において基板サセプター中心の鉛直上方より原料ガスが導入され、サセプターの基板の置かれる面に平行な炉体断面積がガス導入部よりサセプターに近付くに従い徐々に大きくなる部分を有す炉体において、複数の穴を持つガス流調整板がガス導入部直下にある気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31