特許

J-GLOBAL ID：200903085915586954

半導体ウェーハポリッシング用研磨剤及びその製造方法、ポリッシング方法

発明者： 土井 建治 ,  宮下 直人 ,  安部 正泰 ,  河野 博之 ,  林 和彦 ,  加藤 寛
出願人/特許権者： 株式会社トクヤマ ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-139157
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321570
出願日： 1997年05月15日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 SiO2 /Si3 N4 選択比を大きくしストッパー膜を薄くすることができる研磨剤を使用した半導体ウェーハポリッシング用研磨剤及びその製造方法及びポリッシング方法を提供する。【解決手段】 窒化珪素粒子からなる研磨粒子に分散させた研磨剤にこの研磨粒子に吸着する吸着剤を添加する。研磨剤の製造方法としては酸側にpH調整してから吸着剤を研磨剤に加える。この研磨剤は、ストッパー膜であるSi3 N4 膜のポリッシュレートを小さくすることによってSiO2 /Si3 N4 選択比を大きくし、ストッパー膜を薄くすることができる。研磨剤AのようにpH調整後に前記吸着剤を加えると窒化珪素粒子の凝集沈殿を減少させ、前記選択比を大きくさせることができる。pH調整後に吸着剤を加えると窒化珪素粒子が沈殿した場合でも凝固することが無く再分散が可能で安定したスラリーが得られる。

請求項（抜粋）：

窒化珪素粒子からなる研磨粒子と、溶媒と、窒化珪素を吸着する吸着剤とを備えていることを特徴とする半導体ウェーハポリッシング用研磨剤。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14

FI (4件)：

H01L 21/304 321 P ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z