特許
J-GLOBAL ID：200903085916222530
高電圧アモルファス半導体/アモルファスシリコン・ヘテロ接合半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
内田 敏彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-164044
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022633
出願日： 1981年04月30日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【構成】光学的バンドギャップEg.optが約1.85eV〜約2.30eVの範囲内にあり、かつ20°Cにおける電気伝導度が約10-8(Ω・cm)-1以上のアモルファスシリコンカーバイドを、p又はn型の少なくとも光照射する側に用い、かつp-i-n接合の拡散電位Vdが約1.1volts以上であるp-i-nアモルファスシリコン系半導体装置。【効果】短絡電流Jscと開放電圧Vocに著しい改良効果が得られる。
請求項（抜粋）：
P-i-n接合アモルファスシリコン系半導体装置において、p又はn型の少なくとも光照射する側のアモルファス半導体は、光学的バンドギャップEg.optが約1.85eV〜約2.30eVの範囲内にあり、かつ20°Cにおける電気伝導度が約10-8(Ω・cm)-1以上のアモルファスシリコンカーバイドであり、かつp-i-n接合の拡散電位Vdが約1.1volts以上であることを特徴とするp-i-nアモルファスシリコン系半導体装置。
FI (2件)：
H01L 31/04 B
, H01L 31/04 N
