特許

J-GLOBAL ID：200903085917124052

パターン形成方法

発明者： 関口 敦 ,  上澤 史且
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-234908
公開番号（公開出願番号）：特開平11-072924
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 疎なパターンと密なパターンとが混在した回路パターンにおける解像線幅の差(疎密差)の発生を抑制することができるパターン形成方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板10上にアルミニウム配線層11を形成し、この上にシリコン酸窒化膜からなる反射防止膜12、更にこの上にシリコン酸化膜13を形成し、この上に感光性樹脂膜14を形成する。次いで、感光性樹脂膜14上にパターンに応じたフォトマスクを形成したのち、このフォトマスクを介して例えばKrFエキシマレーザビームなどの光を用いて露光する。反射防止膜12での反射率が一定の範囲内であると、反射率が低い場合に比べて後方散乱による影響が大きいために、見掛け上、前方散乱の影響が小さくなり近接補正効果を生じる。その結果、疎なパターンと密なパターンとの間での解像線幅の差(疎密差)の発生が抑制される。

請求項（抜粋）：

下地基板上の被加工膜上に形成されたマスク用感光性樹脂膜を露光して所定のパターンを形成するパターン形成方法において、疎なパターンと密なパターンとの間の解像線幅の差の発生を抑制するために、前記マスク用感光性樹脂膜の下地側の反射率を調整することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/004 506 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/004 506 ,  H01L 21/30 574