特許

J-GLOBAL ID：200903085925204308

高純度チタン酸バリウムストロンチウムスパッタリングターゲット材およびその製造方法

発明者： 渡辺 和男 ,  丸山 仁 ,  三島 昭史
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-058099
公開番号（公開出願番号）：特開平9-249967
出願日： 1996年03月14日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】高純度チタン酸バリウムストロンチウムスパッタリングターゲット材およびその製造方法。【解決手段】本発明高純度チタン酸バリウムストロンチウムスパッタリングターゲット材およびその製造方法は、高純度チタン酸バリウムストロンチウム酸化物焼結体において、該酸化物焼結体が、化学量論組成を有し、密度が90〜95%であり、かつ焼結体粒子径が0.1〜3μmで、純度4N以上である高純度チタン酸バリウムストロンチウムスパッタリングターゲット材と、純度4N以上の(Ba,Sr)TiO3ーx(x=0〜0.05)の粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中1100〜1300°Cでホットプレスして酸素欠損型となった(Ba,Sr)TiO3ーx(x=0.001〜0.05)焼結体を、大気または酸素雰囲気中800〜1100°Cで酸化させて作る製造方法とからなる。

請求項（抜粋）：

高純度チタン酸バリウムストロンチウム酸化物焼結体において、該酸化物焼結体が、化学量論組成を有し、密度が90〜98%であり、かつ焼結体平均粒子径が0.3〜3μmで、純度4N以上であることを特徴とする高純度チタン酸バリウムストロンチウムスパッタリングターゲット材。

IPC (5件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/08 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

C23C 14/34 A ,  C23C 14/08 K ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/316 X

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-120120   出願人：真空冶金株式会社
• チタン酸ストロンチウムターゲットの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-166654   出願人：東ソー株式会社
• 特開昭59-199504
  
• 特開平2-221152