特許
J-GLOBAL ID：200903085925876250
窒化ガリウム系化合物半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉田 研二
, 石田 純
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2003008365
公開番号（公開出願番号）：WO2004-008551
出願日： 2003年07月01日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：
主に波長375nm以下で発光するLED。LEDは基板(10)上にGaN層(16)、n-クラッド層(20)、AlInGaNバッファ層(22)、発光層(24)、p-クラッド層(26)、p電極(30)、n電極(32)を含んで構成される。発光層(24)は、InGaN井戸層とAlInGaNバリア層を積層した多層量子井戸構造(MQW)である。量子井戸構造によりInGaN井戸層の実効的なバンドギャップを拡大させて発光波長を短波長化する。また、発光層(24)の下地層にAlInGaNバッファ層(22)を用いることで電子を効率的に発光層(24)に注入し、発光効率を増大させる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたGaN系発光層を有する窒化ガリウム系化合物半導体装置であって、
前記発光層は、InGaN井戸層とAlInGaNバリア層を積層した多層量子井戸層を含むことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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