特許
J-GLOBAL ID:200903085926305680

パターン形成用テンプレート、パターン形成方法、及びナノインプリント装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (8件): 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-273179
公開番号(公開出願番号):特開2008-091782
出願日: 2006年10月04日
公開日(公表日): 2008年04月17日
要約:
【課題】近隣チップへの余剰インプリント材料の漏出を防ぐことが出来るパターン形成用テンプレートを提供すること。【解決手段】パターン形成用テンプレート20は、被加工基板の上に塗布された光硬化性を有する液体からなるインプリント材料層に凹凸を有するパターン24が形成された面を接触させた状態で、前記パターン24が形成されていない面の上から光を照射して前記インプリント材料層を硬化することにより前記パターン24を前記インプリント材料層に転写するナノインプリント法におけるパターン形成用テンプレート20であって、前記パターン24とは別に余剰な前記液体を吸収するためのダミー溝21が形成されている。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
被加工基板の上に塗布された光硬化性を有する液体からなるインプリント材料層に凹凸を有するパターンが形成された面を接触させた状態で、前記パターンが形成されていない面の上から光を照射して前記インプリント材料層を硬化することにより前記パターンを前記インプリント材料層に転写するナノインプリント法におけるパターン形成用テンプレートであって、 前記パターンとは別に余剰な前記液体を吸収するためのダミー溝が形成されている ことを特徴とするパターン形成用テンプレート。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  B81C 5/00
FI (2件):
H01L21/30 502D ,  B81C5/00
Fターム (1件):
5F046BA10
引用特許:
出願人引用 (2件)

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