特許
J-GLOBAL ID:200903085934469195

集積回路の製造方法および該製造方法により形成された集積回路付基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 俊一郎 (外3名)
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2001003451
公開番号(公開出願番号):WO2001-084610
出願日: 2001年04月23日
公開日(公表日): 2001年11月08日
要約:
【要約】微細な配線溝および接続孔に効率よく緻密に導電性微粒子を堆積することが可能であるとともに、配線抵抗が小さく高密度の回路が形成可能であり、しかも高集積化が可能であるため経済性にも優れた集積回路の製造方法を提供する。配線溝が形成された基板に、導電性微粒子を含んでなる集積回路形成用塗布液を塗布して集積回路を形成する方法において、超音波を照射しながら、配線溝に集積回路形成用塗布液を塗布することを特徴とする集積回路の製造方法。
請求項(抜粋):
配線溝が形成された基板に、導電性微粒子形成成分および/または導電性微粒子を含んでなる集積回路形成用塗布液を塗布して集積回路を形成する方法において、超音波を照射しながら、配線溝に集積回路形成用塗布液を塗布することを特徴とする集積回路の製造方法。
IPC (2件):
H01L 21/3205 ,  H01L 21/283
FI (2件):
H01L 21/88 K ,  H01L 21/283 A

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