特許

J-GLOBAL ID：200903085950969858

面発光半導体レーザ

発明者： 小坂 英男
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-022038
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190979
出願日： 1992年01月10日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】 2段メサ型面発光半導体レーザ素子の低抵抗という利点を生かしつつ、簡単な製造工程で小さなサイズにおいても充分な光閉じ込めを実現することにある。【構成】 半導体基板11の上に第一導伝型の第一の多層膜反射鏡10、第一導伝型のクラッド層8(第一の半導体層)、活性層7、第二導伝型のクラッド層5(第二の半導体層)、コンタクト層4、メサガイド層2、第二導伝型の第二の多層膜反射鏡1が形成され、成長面に垂直な方向にレーザ発振光を放出する面発光半導体レーザにおいて、素子周囲が第二の多層膜反射鏡1より下にあるコンタクト層4までエッチングにより除去してある。【効果】 垂直共振器型面発光半導体レーザを作製する技術を用いて簡単な層構造の変更をするだけで、低閾値、低抵抗を実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に第一導伝型の第一の多層膜反射鏡、第一導伝型の第一の半導体層、活性層、第二導伝型の第二の半導体層、第二導伝型の第二の多層膜反射鏡が形成され、成長面に垂直な方向にレーザ発振光を放出する面発光半導体レーザにおいて、前記第二半導体層の中に第二導伝型のコンタクト層を形成し、素子周囲がコンタクト層までエッチングにより除去してあり、エッチング面が第二の多層膜反射鏡の底面より下にあることを特徴とする面発光半導体レーザ。