特許
J-GLOBAL ID:200903085953833531
レジスト塗布方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
清水 守 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-050257
公開番号(公開出願番号):特開平11-251222
出願日: 1998年03月03日
公開日(公表日): 1999年09月17日
要約:
【要約】【課題】 ウエハ面内やウエハ間等でのレジストパターン寸法の均一性を高めることができるレジスト塗布方法を提供する。【解決手段】 下地としての層間絶縁膜の膜厚の初期の設定値tref をデータ入力装置35より電子制御装置30へ取り込み、次に、膜厚計10により、実際の層間絶縁膜の膜厚tを測定し、その膜厚tを電子制御装置30へ取り込む。次いで、実際の層間絶縁膜3の膜厚tの初期の設定値tref からの実際の層間絶縁膜3の膜厚のずれ量Δt〔Δt=tref -t〕を電子制御装置30で求める。次に、上記ずれ量Δtに基づく、露光反射光の位相シフトを補償すべきレジスト膜厚のシフト量RΔtを求め、層間絶縁膜3の膜厚の初期の設定値tref に、補償すべきレジスト膜厚のシフト量RΔtを加えて、レジスト膜の膜厚RTを求める。次に、レジスト塗布装置20に指令(例えば、スピナー回転数)を出して、最適なレジスト膜厚RTとなるようにレジストを塗布する。
請求項(抜粋):
(a)レジスト塗布前に半導体装置の層間絶縁膜の膜厚変動量を算出し、(b)該層間絶縁膜の膜厚変動量に基づいて、レジスト膜厚変動量に対してレジストパターン寸法変動量が最も小さくなるようなレジスト膜厚を塗布することを特徴とするレジスト塗布方法。
IPC (4件):
H01L 21/027
, B05D 3/00
, G03F 7/16
, H01L 21/66
FI (4件):
H01L 21/30 564 D
, B05D 3/00 D
, G03F 7/16
, H01L 21/66 Q
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