特許
J-GLOBAL ID:200903085961655898

チャージポンプ形負電圧発生回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岡部 惠行 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-166739
公開番号(公開出願番号):特開平9-009612
出願日: 1996年06月06日
公開日(公表日): 1997年01月10日
要約:
【要約】【課題】 ポンプセルのトランジスタ中にラッチアップ現象が出現するのを回避するチャージポンプ形負電圧発生回路【解決手段】 本発明は、P形基板をもとにして作成され、nを整数として、直列接続されたn個のポンプセル(C'1〜C'n)に充電された負電荷についてのポンプ作用によって出力(2’)に負電圧(VN)を供給するチャージポンプ形負電圧供給回路であって、これらのポンプセルは、正バイアスするためのノード(15)にウェルが接続されたP形トランジスタから成っている。この回路に設けられたスイッチング手段(18,19)は、出力に現れる電位が正の基準電圧(REF)より大きい限り、この電位以上のウェルバイアス電圧(VB)をノード(15)に選択的に供給し、出力に現れる電位が基準電圧より小さい場合は、より小さいウェルバイアス電圧(Vread)を供給する。
請求項(抜粋):
P形基板をもとにして作成され、nを整数として、直列接続されたn個のポンプセル(C'1〜C'n)に充電された負電荷についてのポンプ作用によって出力(2’)に負電圧(VN)を供給するチャージポンプ形負電圧供給回路であって、これらのポンプセルが、正バイアスするためのノード(15)にウェルが接続されたP形トランジスタから成る回路において、出力に現れる電位が正の基準電圧(REF)より大きい限り、この電位に比べて大きいか或いは等しいウェルバイアス電圧(VB)を前記ノード(15)に選択的に供給するため、並びに、出力に現れる電位が前記基準電圧より小さい場合は、より小さいウェルバイアス電圧(Vread)を供給するためのスイッチング手段(18,19)を具備することを特徴とする回路。
IPC (3件):
H02M 3/07 ,  G11C 11/407 ,  G11C 16/06
FI (3件):
H02M 3/07 ,  G11C 11/34 354 F ,  G11C 17/00 309 D

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