ダイナミックランダムアクセスメモリ

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：柿本恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-068969
公開番号（公開出願番号）：特開2001-256778
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)の消費電流を低減する。【解決手段】ラッチ手段20-1,20-2には、メモリセルアレイのブロック単位にリフレッシュの要、不要を示すブロック選択情報RBDATAが格納される。動作禁止手段30では、リフレッシュカウンタ6から出力されるリフレッシュアドレスの一部RA8と、ラッチ手段20-1,20-2から出力されるリフレッシュブロック指定信号RB[0],RB[1]とを比較し、リフレッシュアドレスが示すブロックのリフレッシュの要、不要を判断し、不要であればRAS系回路11の動作を禁止する。これにより、リフレッシュが不要なブロックに対するセルフリフレッシュが回避され、消費電流が低減される。

請求項（抜粋）：

Xアドレスによって選択される複数のワード線、複数のビット線、及び該ワード線と該ビット線に接続されたデータ格納用の複数のメモリセルをそれぞれ有する複数のブロックと、外部から与えられた制御信号に基づき前記複数のメモリセルに対するリフレッシュ要求の有無を検出すると共にそのモードを判定するリフレッシュ判定回路と、前記リフレッシュ判定回路の判定結果がセルフリフレッシュモードを示すときに起動されてタイミング信号を発生するリフレッシュタイマと、前記タイミング信号に同期したカウンタ制御クロックを発生するジェネレータと、前記リフレッシュ判定回路の判定結果がセルフリフレッシュモードを示すときに起動され、前記カウンタ制御クロックに同期してリフレッシュ用のリフレッシュアドレスを生成して出力するリフレッシュカウンタと、前記リフレッシュ判定回路の判定結果がセルフリフレッシュモードを示すときには、前記リフレッシュアドレスを格納し、該リフレッシュ判定回路の判定結果がセルフリフレッシュモードを示さないときには、外部から与えられたXアドレスを格納するXアドレスバッファと、前記ブロックに対してリフレッシュが必要か不要かを示すブロック選択情報が外部から与えられると、このブロック選択情報を所定のタイミングでラッチするラッチ手段と、前記Xアドレスバッファに格納されたアドレスをプリデコードして前記ブロックを選択し、この選択情報を含んだプリデコ-ド信号を出力するXプリデコーダと、前記プリデコ-ド信号をデコ-ドし、前記Xプリデコ-ダで選択されたブロック内の前記メモリセルのワ-ド線を選択するXデコーダと、前記ラッチ手段でラッチされたブロック選択情報と前記リフレッシュアドレスとを比較し、該リフレッシュアドレスがリフレッシュ不要のブロックを示すときには前記ジェネレータの動作を禁止する動作禁止手段と、前記ジェネレータの動作が禁止されたときに、前記タイミング信号を前記カウンタ制御クロックの代わりに前記リフレッシュカウンタに与えるクロックルート変更手段と、を備えたことを特徴とするダイナミックランダムアクセスメモリ。

IPC (2件)：

G11C 11/406 , G11C 11/403

FI (3件)：

G11C 11/34 363 K , G11C 11/34 363 M , G11C 11/34 363 J

Fターム (8件)：

5B024AA01 , 5B024BA20 , 5B024BA21 , 5B024CA16 , 5B024CA21 , 5B024DA10 , 5B024DA14 , 5B024DA18

引用特許：

審査官引用 (1件)

ダイナミック型RAM
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-317371 出願人：株式会社日立製作所

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