特許
J-GLOBAL ID：200903085967325040
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-238918
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107101
出願日： 1994年10月03日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、プラズマ処理装置に関し、基板載置台にRFバイアスを印加しなくても、加速されたイオンをウエハ上に導けるようにしてチャージアップを抑制する。【構成】 プラズマ生成室11と、プラズマ生成室11の下流に設けられた処理室16と、プラズマ生成室11内に処理ガスを導入するガス導入口19と、プラズマ生成室11の外壁に巻回された、プラズマ生成室11内の処理ガスをプラズマ化するコイル状の第1のRF電極24と、処理室16の外壁に巻回された、処理室16内の処理ガスをプラズマ化するコイル状の第2のRF電極25と、処理室16内に設けられた基板載置台21と、プラズマ生成室11と処理室16間を仕切り、複数の孔15が設けられた接地電極板14と、接地電極板14に対向して上流に設けられ、プラズマ生成室11内のプラズマに電位を付与するRF電極板13とを有する。
請求項（抜粋）：
プラズマ生成室と、前記プラズマ生成室の下流に設けられた処理室と、前記プラズマ生成室内に処理ガスを導入するガス導入口と、前記プラズマ生成室の外壁に巻回された、前記プラズマ生成室内の処理ガスをプラズマ化するコイル状の第1のRF電極と、前記処理室の外壁に巻回された、前記処理室内の処理ガスをプラズマ化するコイル状の第2のRF電極と、前記処理室内に設けられた基板載置台と、前記プラズマ生成室と前記処理室間を仕切り、複数の孔が設けられた接地電極板と、前記接地電極板に対向して上流に設けられ、前記プラズマ生成室内のプラズマに電位を付与するRF電極板とを有することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/304 341
