半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-218190
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055504
出願日： 1991年08月29日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 1個のトランジスタと1個のキャパシタとからなるメモリセルを有する半導体装置において、メモリセルの占める領域を最小にする。【構成】ビット線5の直上に、垂直方向にチャネルが形成されたトランジスタ23が形成され、更にトランジスタ23の直上にスタックトタイプのキャパシタ24が形成されている。【効果】トランジスタ23のソース・ドレイン領域11,15に対するビット線5及びキャパシタ24の接続部が半導体基板1の主面に対して垂直方向に立体的に配列される。従って、パターン形成上の困難を伴うことなく、キャパシタ容量を確保でき、メモリセルの占める領域を小さくして高集積化が容易に行える。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の一方主面に形成されたビット線と、前記ビット線上に形成され、前記ビット線に一方電極が接続され、前記半導体基板の前記一方主面に垂直にチャネルが形成されたトランジスタと、前記トランジスタの制御電極に接続されたワード線と、前記トランジスタの上に形成され、前記トランジスタの他方電極に一方電極を接続されたキャパシタと、を備えた半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭59-182558
特開平4-176168
特開平4-030573

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