特許

J-GLOBAL ID：200903085975782159

絶縁型半導体装置

発明者： 栗原 保敏 ,  高橋 可昌 ,  児玉 弘則 ,  飯塚 守 ,  小山 賢治
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-040917
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243610
出願日： 2002年02月19日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】製造時あるいは運転時に生ずる熱応力ないし熱歪を軽減し、各部材の変形,変性,破壊の恐れがなく、低コストの絶縁型半導体装置を得ること。【解決手段】本発明絶縁型半導体装置は、厚さ0.25〜1.25mmのセラミックス板、該セラミックス板の一方の主面に設けられた厚さ0.1〜2.3mmの配線金属層、該セラミックス板の他方の主面に設けられた厚さ0.025〜2.0mmの裏面金属層で構成され、該配線金属層と該裏面金属層が互いに同質かつ同一物性のAl合金で構成された回路基板と、該配線金属層上に固着された半導体素子基体と、該裏面金属層と固着された支持部材とからなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基体がセラミックス板の一方の面に設けられた配線金属層上に固着され、前記セラミックス板の他方の面が裏面金属層を介して支持部材に固着され、前記配線金属層と前記裏面金属層がAl合金で構成されたことを特徴とする絶縁型半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 25/07 ,  H01L 23/36 ,  H01L 23/48 ,  H01L 25/18

FI (4件)：

H01L 23/48 G ,  H01L 25/04 C ,  H01L 23/36 C ,  H01L 23/36 D

Fターム (4件)：

5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BC06