特許
J-GLOBAL ID：200903085977029288
半導体基板の研磨装置及び半導体基板の研磨方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-227722
公開番号（公開出願番号）：特開平11-058221
出願日： 1997年08月25日
公開日（公表日）： 1999年03月02日
要約：
【要約】【課題】 ウェハに形成されている被研磨膜の部位によって研磨速度が異なる事態を防止して、被研磨膜の表面を均一に平坦化できるようにする。【解決手段】 ウェハ13の被研磨膜は、回転すると共に研磨剤15が供給される研磨パッド12の第1の領域12aに押圧されて研磨される。ウェハ13の被研磨膜と同質の材料よりなる円環状のダミー被研磨材17Aは、ダミー保持具18に保持されており、研磨パッド12上における第1の領域12aと中心に対して反対側に位置する第2の領域12bに押圧されて研磨される。これにより、研磨パッド12がウェハ13の被研磨膜と接触する時間とダミー被研磨材17Aの被研磨面と接触する時間との合計は均一化される。
請求項（抜粋）：
平面運動をする定盤の上に載置された研磨パッドと、前記研磨パッドの上に研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、被研磨膜が形成された半導体基板を保持し、保持した半導体基板の被研磨膜を前記研磨パッドに押圧して研磨する基板保持手段と、前記被研磨膜と同質の材料により形成されており、前記被研磨膜との接触時間が前記研磨パッドの他の領域に比べて相対的に短い前記研磨パッドの領域との接触時間が前記他の領域に比べて長くなるような形状の被研磨面を有し、該被研磨面が前記研磨パッドにより研磨されるダミー被研磨材とを備えていることを特徴とする半導体基板の研磨装置。
IPC (3件)：
B24B 37/00
, H01L 21/304 321
, H01L 21/304
B24B 37/00 C
, H01L 21/304 321 E
, H01L 21/304 321 M
