特許

J-GLOBAL ID：200903085983301283

不揮発性メモリの消去特性向上回路

発明者： 大澤 博
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-073976
公開番号（公開出願番号）：特開平8-273378
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】 EEPROM等のデータの書き込み読み出しが可能であり且つデータの電気的消去が可能な不揮発性メモリの消去電圧の大きさを可変できる不揮発性メモリの消去特性向上回路を提供することを目的とする。【構成】 ビット線8に流れる電流に応じて不揮発性メモリの消去電圧の大きさを制御できる様にした。これにより、不揮発性メモリのデータの消去特性を向上させることができ、不揮発性メモリにデータを再書き込みする場合の書き込み回数の向上を図ることができる。

請求項（抜粋）：

データの書き込み読み出しが可能な不揮発性メモリを構成する複数のメモリセルを、マトリクス配置された複数のビット線及びワード線の交差上に接続し、選択されたワード線に対応するビット線に流れる電流を電圧に変換する電流電圧変換手段と、前記電流電圧変換手段から得られた電圧をデジタル値に変換するAD変換手段と、前記AD変換手段から得られるデジタル値と基準となるデジタル値とを比較判定する比較判定手段と、前記比較判定手段の出力に応じて、前記メモリセルのデータを消去する為の消去電圧の大きさを制御して、対応する前記ワード線に一定時間印加させる消去電圧制御手段と、を備えたことを特徴とする不揮発性メモリの消去特性向上回路。