特許
J-GLOBAL ID：200903085983671714
薄膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-048140
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251427
出願日： 1992年03月05日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板上の酸化膜、窒化膜および金属膜等の薄膜に生じる熱応力の発生を低減させ、半導体装置の信頼性を向上させる薄膜の形成方法を提供すること。【構成】 半導体基板にあらかじめ歪応力を加えて薄膜を形成することを特徴とする薄膜の形成方法により上記目的は達成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に薄膜を形成する際に、この薄膜の形成によって生じる前記基板の反りに対し、この反りとは逆方向の反りをあらかじめ前記基板に加えることを特徴とする薄膜の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/31
, H01L 21/205
, H01L 21/316
, H01L 21/318
