特許

J-GLOBAL ID：200903085987822890

光学反射膜の形成方法

発明者： 柿沼 敬二 ,  小野田 利康
出願人/特許権者： 東芝イーエムアイ株式会社 ,  株式会社芝浦製作所
代理人 (1件)： 瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-077421
公開番号（公開出願番号）：特開平5-281406
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】アルミニウム反射膜を大きな成膜速度で形成することができるスパッタリング成膜法を改良して、PMMA基板の面に対するアルミニウム反射膜の密着力を高くかつ一定に制御する手段を提供する。【構成】真空中でプラスチックス基板に対向する電極に電力を供給してグロー放電させることにより該基板の表面を改質する第1工程と、ヘリウムを含有しない不活性ガス雰囲気中で該基板の表面に対してアルミニウム又はアルミニウム合金膜をスパッタリング成膜する第2工程と、ヘリウム含有不活性ガス雰囲気中で該基板の表面に対してアルミニウム又はアルミニウム合金膜をスパッタリング成膜する第3工程と、ヘリウムを含有しない不活性ガス雰囲気中で該基板の表面に対してアルミニウム又はアルミニウム合金膜をスパッタリング成膜する第4工程とを順に実施して光学反射膜を形成する。

請求項（抜粋）：

真空中でプラスチックス基板に対向する電極に電力を供給してグロー放電させることにより該基板の表面を改質する第1工程と、ヘリウムを含有しない不活性ガス雰囲気中で該基板の表面に対してアルミニウム又はアルミニウム合金膜をスパッタリング成膜する第2工程と、ヘリウム含有不活性ガス雰囲気中で該基板の表面に対してアルミニウム又はアルミニウム合金膜をスパッタリング成膜する第3工程と、ヘリウムを含有しない不活性ガス雰囲気中で該基板の表面に対してアルミニウム又はアルミニウム合金膜をスパッタリング成膜する第4工程とを含むことを特徴とする光学反射膜の形成方法。

IPC (4件)：

G02B 5/08 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/20 ,  G11B 7/26 531

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-017660